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IPD082N10N3 TO-252 IC Circuito integrado N de canales N Transistor Mosfet

IPD082N10N3 TO-252 IC Circuito integrado N de canales N Transistor Mosfet

IPD082N10N3 Circuito integrado Ic

Circuito integrado de IC

IPD082N10N3 Chip de circuito integrado IC

Lugar de origen:

Original

Nombre de la marca:

INFINEON

Número de modelo:

IPD082N10N3

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Detalles del producto
calidad::
Inusitado a estrenar
Paquete/caja::
TO-252
Pago y términos de envío
Cantidad de orden mínima
1PCS
Precio
Negotiate
Detalles de empaquetado
4000
Tiempo de entrega
3
Común
8000+
Condiciones de pago
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente
57830pcs
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Descripción del producto

ISO9001.pdf (en inglés)

IPD082N10N3 es un transistor MOSFET de canal N. Las siguientes son sus aplicaciones, conclusiones y parámetros:
Aplicación:
Utilizado como interruptor de carga de alto voltaje y de alta potencia
Utilizado como interruptor para convertidores y reguladores
Conclusión:
Capacidad de alta tensión: Vds=100V
Baja resistencia de conducción: Rds (encendido) = 8,2 m Ω (típico)
Velocidad de conmutación rápida: td (encendido) = 16ns (típico), td (apagado) = 60ns (típico)
Rendimiento a altas temperaturas: puede funcionar a temperaturas de hasta 175 °C
Cumple con las directivas RoHS y los requisitos libres de plomo
Parámetros:
Vds (tensión de la fuente de drenaje): 100V
Vgs (tensión de la fuente de la puerta): ± 20V
Id (corriente de drenaje): 80A
Rds (encendido) (resistencia de conducción): 8,2 m Ω (típico)
Qg (carga de la puerta): 135nC (típico)
Td (encendido) (tiempo de retraso de arranque): 16 ns (típico)
Td (apagado) (tiempo de retraso de apagado): 60 ns (típico)
Tj (temperatura de unión): 175 °C
Cumple con las directivas RoHS y los requisitos libres de plomo.

Especificaciones técnicas del producto
La RoHS de la UE Conforme a la exención聽
El precio de venta de la mercancía El EAR99
Estado de las partes No confirmado
SVHC - ¿ Qué?
El SVHC excede el umbral - ¿ Qué?
Automóvil No se conoce
PPAP No se conoce
Categoría de productos MOSFET de potencia
Configuración No casado
Tecnología de procesos OptiMOS 3
Modo de canal Mejoramiento
Tipo de canal No
Número de elementos por chip 1
Voltado máximo de la fuente de drenaje (V) 100
Voltado máximo de la fuente de la puerta (V) ₹ 20
Ventilación de puerto de entrada (V) 3.5
Corriente máxima de drenaje continuo (A) 80
Corriente máxima de fuga de la fuente de la puerta (nA) 100
Se aplicará el método de ensayo de la norma de seguridad de los vehículos. 1
Resistencia máxima de la fuente de drenaje (mOhm) 8.2@10V
Carga típica de la puerta @ Vgs (nC) 42@10V
Carga típica de la puerta @ 10V (nC) 42
Capacidad de entrada típica @ Vds (pF) 2990@50V
Disposición máxima de potencia (mW) 125000
Tiempo de caída típico (ns) 8
Tiempo de aumento típico (ns) 42
Tiempo de retraso típico de apagado (ns) 31
Tiempo (s) de retraso típico de encendido 18
Temperatura mínima de funcionamiento ( capturadoC) - 55 años
Temperatura máxima de funcionamiento ( capturado) 175
Embalaje Cintas y bobinas
El montaje Montura de la superficie
Altura del paquete 2.41 (máximo)
Ancho del paquete 6.22 (máximo)
Duración del paquete 6.73 (máximo)
PCB cambiado 2
- ¿ Qué? - ¿ Qué?
Nombre estándar del paquete TO-252
Paquete para proveedores DPAK
Número de pines 3
Forma del plomo Las aves de corral

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