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IPD50N04S3-08 Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado

IPD50N04S3-08 Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado

Lugar de origen:

Original

Nombre de la marca:

INFINEON

Número de modelo:

IPD50N04S3-08

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Detalles del producto
calidad::
Inusitado a estrenar
Paquete/caja::
TO-252
Pago y términos de envío
Cantidad de orden mínima
1PCS
Precio
Negotiate
Detalles de empaquetado
4000
Tiempo de entrega
3
Común
8000+
Condiciones de pago
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente
97830pcs
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Descripción del producto

ISO9001.pdf
Uso:
IPD50N04S3-08 es un MOSFET del canal N ampliamente utilizado en la diversa baja tensión y los convertidores de gran intensidad de DC-DC, control de motor, control de la iluminación, y los campos de la gestión del poder.
Conclusión:
IPD50N04S3-08 adopta tecnología de fabricación avanzada y tiene ventajas tales como resistencia baja de la conducción, resistencia de alto voltaje, y pérdida que cambia baja, haciéndola excepcional en usos eficientes de la gestión del poder.
Parámetros:
Voltaje máximo del dren: 40V
Corriente máxima del dren: 50A
Resistencia de la conducción: los 6.5m Ω
Gama del voltaje de la puerta: ± 20V
Capacitancia estática de la entrada: 3000pF
Gama de temperaturas de trabajo: -55 ℃ ℃~175
Empaquetado:
IPD50N04S3-08 se empaqueta en TO-252 (DPAK), que es pequeño de tamaño y fácil de instalar, conveniente para el diseño de alta densidad de la placa de circuito.

Especificaciones técnicas del producto
UE RoHSObediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)EAR99
Situación de la parteNRND
HTS8541.29.00.95
SVHC
SVHC excede el umbral
Automotriz
PPAPDesconocido
Categoría de productoMOSFET del poder
ConfiguraciónSolo
Tecnología de procesoOptiMOS
Modo del canalAumento
Tipo de canalN
Número de elementos por microprocesador1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)40
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)4
Dren continuo máximo (a) actual50
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm)7.5@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta27@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta27
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)1800@25V
Disipación de poder máxima (mW)68000
Tiempo de caída típico (ns)6
Tiempo de subida típico (ns)7
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)16
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)11
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)175
EmpaquetadoCinta y carrete
Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a)200
MontajeSoporte superficial
Altura del paquete2,3
Anchura del paquete6,22
Longitud del paquete6,5
El PWB cambió2
EtiquetaEtiqueta
Nombre del paquete estándarTO-252
Paquete del proveedorDPAK
Pin Count3

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