Name: IPD25CN10N3G Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD25CN10N3G
Availability: InStock

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IPD25CN10N3G Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado

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Original

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INFINEON

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IPD25CN10N3G

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IPD25CN10N3G Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado

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calidad::

Inusitado a estrenar

Paquete/caja::

TO-252

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1PCS

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Negotiate

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4000

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Común

8000+

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D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente

97830pcs

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Descripción del producto

ISO9001.pdf

Uso:
IPD25CN10N3G es un MOSFET del canal N conveniente para los usos que cambian del poder eficiente, bajo de la resistencia tales como convertidores de DC-DC, la gestión del poder, las fuentes de alimentación de la plataforma, el etc.
Conclusión:
IPD25CN10N3G tiene capacidades por intervalos excelentes, permitiendo el poder eficiente que cambia en los de alta frecuencia. Su resistencia baja de la conducción y pérdida que cambia baja pueden reducir con eficacia el consumo de energía y la subida de la temperatura, mejorar eficacia de sistema y confiabilidad.
Parámetros:
Voltaje clasificado: 100V
Corriente máxima del dren: 25A
Drene la resistencia de la fuente: los 3.3m Ω
Tiempo que cambia típico: 20ns
Tiempo típico de la conducción: 9.5ns
Voltaje estático de la conducción: 1.8V
Empaquetado: TO-252 (DPAK)
Empaquetado:
El IPD25CN10N3G adopta TO-252 (DPAK) que empaqueta, que tiene las ventajas del buen funcionamiento de la disipación de calor y de la instalación fácil, haciéndolo conveniente para el uso en usos limitados de la densidad del espacio y de poder más elevado.

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente con el 聽 de la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Sin confirmar
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	Sí
PPAP	Desconocido
Categoría de producto	MOSFET del poder
Configuración	Solo
Tecnología de proceso	OptiMOS
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	100
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	卤 20
Dren continuo máximo (a) actual	35
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm)	25@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	23@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	23
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	1560@50V
Disipación de poder máxima (mW)	71000
Tiempo de caída típico (ns)	3
Tiempo de subida típico (ns)	4
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	13
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	10
Temperatura de funcionamiento mínima (掳 C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (掳 C)	175
Grado de la temperatura del proveedor	Automotriz
Empaquetado	Cinta y carrete
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	2,3
Anchura del paquete	6,22
Longitud del paquete	6,5
El PWB cambió	2
Etiqueta	Etiqueta
Nombre del paquete estándar	TO-252
Paquete del proveedor	DPAK
Pin Count	3

Las etiquetas：

IPD25CN10N3G Original a estrenar de IC del microprocesador del circuito integrado TO-252 inusitado

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