Lugar de origen:
original
Nombre de la marca:
NXP
Número de modelo:
BUK9K8R7-40E
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| Especificaciones técnicas del producto | |
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| SVHC | Sí |
| SVHC excede el umbral | Sí |
| Automotriz | Sí |
| PPAP | Desconocido |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Configuración | Dren dual dual |
| Tecnología de proceso | TMOS |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 2 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 40 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | 15 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 2,1 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 30 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 8@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 15.7@5V |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 1583@25V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 53000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 18,2 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 19,8 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 20,5 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 10,8 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (c) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (c) | 175 |
| Grado de la temperatura del proveedor | Automotriz |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 1,05 (máximo) |
| Anchura del paquete | 4,7 (máximo) |
| Longitud del paquete | 5,3 (máximo) |
| El PWB cambió | 8 |
| Paquete del proveedor | LFPAK-D |
| Pin Count | 8 |
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