Lugar de origen:
original
Nombre de la marca:
NXP
Número de modelo:
BUK6D43-40P
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Especificaciones técnicas del producto | |
UE RoHS | Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
Situación de la parte | Activo |
HTS | 8541.29.00.95 |
SVHC | Sí |
Automotriz | Sí |
PPAP | Desconocido |
Categoría de producto | MOSFET del poder |
Configuración | Solo dren del patio |
Modo del canal | Aumento |
Tipo de canal | P |
Número de elementos por microprocesador | 1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 40 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | 20 |
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 2,7 |
Temperatura de empalme de funcionamiento (c) | -55 a 175 |
Dren continuo máximo (a) actual | 6 |
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
IDSS máximo (UA) | 1 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 43@10V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 24@10V |
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 24 |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 1260@20V |
Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) | 1,4 |
Capacitancia de salida típica (PF) | 106 |
Disipación de poder máxima (mW) | 2300 |
Tiempo de caída típico (ns) | 14 |
Tiempo de subida típico (ns) | 23 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 35 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 9 |
Temperatura de funcionamiento mínima (c) | -55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (c) | 175 |
Grado de la temperatura del proveedor | Automotriz |
Empaquetado | Cinta y carrete |
Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) | 20 |
Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25C (a) | 56 |
Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (掳 C/W) | 66 |
Voltaje delantero del diodo máximo (v) | 1,2 |
Montaje | Soporte superficial |
Altura del paquete | 0,61 (máximo) |
Anchura del paquete | 2,1 (máximo) |
Longitud del paquete | 2,1 (máximo) |
El PWB cambió | 6 |
Nombre del paquete estándar | DFN |
Paquete del proveedor | EP DE DFN-MD |
Pin Count | 6 |
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